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四频双层集束电调天线

1、GSM900+DCS1800天线电气指标
 
 
GSM900+DCS1800电气性能
频率范围       870~960MHz                     1710~1880MHz
增益    15dBi±0.5                         17dBi±0.5
极化形式    ±45°
输入阻抗    50Ω
驻波比    <1.5
端口隔离度    ≥28dB
水平面波瓣宽度    65°±7°
垂直面波瓣宽度 14°±2                            7°±2
下倾角范围(内置遥控电调)         2°~16°         2°~14°
第一上旁瓣抑制  ≤-16dB
前后比  ≥25dB
0°  交叉极化鉴别率  ≥15dB
±60°交叉极化鉴别率  ≥7dB
三阶互调(2×43dBm) ≤-97dBm
功率容量    250W                            200W
接口形式 3*(2×7/16 DIN Female)(内置合路器)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2、TD(FA/D)电气指标
 
频率范围 1880~1920MHz 2010~2025 MHz 2555~2635 MHz
结  构  参  数
阵列排列形式 直线
极化方式 ±45°
列间距 75mm
接口类型 3*(2*(4芯+5芯)集束接头)
馈电位置 底部
电  路  参  数
电下倾角精度 ±1.0°
电下倾范围 2°~12 °
输入阻抗 50Ω
各单元端口驻波比 ≤1.5
同极化隔离度 2度下倾 ≥20dB
3度~6度下倾 ≥25dB
7度~12度下倾 ≥28dB
异极化隔离度 2度下倾 ≥25dB
3度~6度下倾 ≥28dB
7度~12度下倾 ≥30dB
内置合路器FA/D频段之间的隔离 ≥30dB
平均功率容限 ≥25W
≥25W
峰值功率容限 ≥250W
≥250W
校  准  参  数
校准端口至各单元端口的耦合度 -26±2 dB
校准端口到各单元端口幅度最大偏差 ≤0.7dB
校准端口到各单元端口相位最大偏差 ≤5°
校准端口驻波比 ≤1.5
性  能  参  数
单元波束 水平面半功率波束宽度 100°±15 ° 90°±15 ° 65°±15 °
增益 ≥14dBi ≥14dBi ≥15dBi
波束±60度边缘功率下降 12±2dB
垂直面半功率波束宽度 ≥5°
前后比 ≥23dB ≥23dB ≥25dB
交叉极化比(轴向) ≥16dB ≥16dB ≥16dB
交叉极化比(±60) ≥7dB
上旁瓣抑制 ≤-15dB
业务波束 0°指向波束增益 ≥19dBi ≥20dBi ≥20.5dBi
0°指向水平面半功率波束宽度 ≤29° ≤26° ≤25°
0°指向水平面副瓣电平 ≤-12dB
±60°指向波束增益 ≥16.5dBi ≥16.5dBi ≥16.5dBi
±60°指向水平面半功率波束宽度 ≤32° ≤32° ≤23°
±60°指向水平面副瓣电平 ≤-5dB ≤-5dB ≤0dB
0°交叉极化比(轴向) ≥20dB
0°前后比 ≥26dB
广播波束 水平面半功率波束宽度 65°±5 ° 65°±5 ° 65°±5 °
垂直面半功率波束宽度 ≥7 ° ≥6.5 ° ≥5 °
视轴增益 ≥14dBi ≥14dBi ≥15dBi
视轴增益@φ=±60 处电平下降 12±2dB 12±2dB 12±2dB
前后比 ≥26dB ≥26dB ≥26dB
交叉极化比(轴向) ≥22dB ≥22dB ≥22dB
交叉极化比(±20°) ≥20dB ≥22dB
交叉极化比(±60°) ≥8dB
上旁瓣抑制 ≤-15dB