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三频圆柱型基站一体化电调美化天线

1、 TD(LTE)电气性能指标
 
频率范围 2555~2635 MHz
结    构    参    数
阵列排列形式 直线
端口数目 9
极化方式 ±45°
列间距 75mm
接口类型 N型
馈电位置 底部
雷电保护 直流接地
电    路    参   数
垂直面电下倾范围 2-12°
垂直面电下倾角精度 ±1°
输入阻抗 50Ω
各单元端口驻波比 ≤1.5
同极化隔离度 2度下倾 ≥20dB
3~6度下倾 ≥25dB
7~12度下倾 ≥28dB
异极化隔离度 2度下倾 ≥25dB
3~6度下倾 ≥28dB
7~12度下倾 ≥30dB
每端口连续波功率容量 50 W
校    准    参    数
校准端口至各单元端口的耦合度 -26dB±2 dB
校准端口到各单元端口幅度最大偏差 ≤0.7dB
校准端口到各单元端口相位最大偏差 ≤5 °
校准端口驻波比 <1.5
校准通道耦合方向性 ≥15 dB
性     能     参    数



水平面半功率波束宽度 65°±15 °
增益 15 dBi
前后比 ≥23 dB
交叉极化比(轴向) ≥16dB
交叉极化比(±60 度范围内) ≥7 dB



0°指向波束增益 20.5dBi
0°指向水平面半功率波束宽度 ≥25°
0°指向水平面副瓣电平 ≤-12dB
±60°指向波束增益 16.5dBi
±60°指向水平面半功率波束宽度 23°
0°交叉极化比(轴向) ≥20 dB
0°前后比 ≥26 dB
广


水平面半功率波束宽度 65°±5 °
视轴增益 14 dBi
视轴增益@φ=±60 处电平下降 12±2 dB
前后比 ≥26dB
交叉极化比(轴向) ≥22dB
交叉极化比(±60 度范围内) ≥8 dB
垂直面半功率波束宽度
上部第一旁瓣电平 ≤-15dB
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2、GSM900+1DCS800天线电气性能指标
 
GSM900+DCS1800电气性能指标
频率范围       870~960MHz                     1710~1880MHz
增益    15dBi±0.5                         17dBi±0.5
极化形式    ±45°
输入阻抗    50Ω
驻波比    <1.5
端口隔离度    ≥28dB
水平面波瓣宽度    65°±7°
垂直面波瓣宽度 14°±2                            7°±2
下倾角范围      2°~16°          2°~10°
第一上旁瓣抑制  ≤-16dB
前后比  ≥25dB
0°  交叉极化鉴别率  ≥15dB
±60°交叉极化鉴别率  ≥7dB
三阶互调(2×43dBm) ≤-102dBm
功率容量    250W                            200W
接口形式       2*(2×7/16 DIN Female)